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公开(公告)号CN122952881A | 申请号CN202611434504.3 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人安徽聚合微电子有限公司 |
分类号H10P54/30(2026.01), H10P58/00(2026.01) | 申请日2026-09-15 | 公开日2026-10-20 |
发布日期2026-10-20 | 文档 ID84597854499500006 | 源数据页码750 |
专利语言zh | ||
本公开实施例提供了一种晶圆处理方法和晶圆处理系统,该晶圆处理方法包括:提供被处理晶圆;确定对被处理晶圆进行隐形切割时所需的目标光能量;其中,目标光能量是基于被处理晶圆的目标面的反射率对基准光能量进行补偿得到的;目标面形成有氧化膜,基准光能量为在去除氧化膜的情况下,对被处理晶圆进行隐形切割时所需的光能量;基于目标光能量,对晶圆进行隐形切割。这样,通过利用晶圆的目标面的反射率对基准光能量进行补偿得到目标光能量,使得在无需进行预研磨的情况下,目标光能量足够实现对晶圆的隐形切割,从而能够跳过预研磨工序,节约机台投入。
附图 1