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公开（公告）号CN122952934A | 申请号CN202611433195.8 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人宸微设备科技（苏州）有限公司 |
分类号H10W20/00(2026.01), H10W20/44(2026.01), H10P14/40(2026.01), H10P14/43(2026.01), C23C16/14(2006.01), C23C16/44(2006.01) | 申请日2026-09-16 | 公开日2026-10-20 |
发布日期2026-10-20 | 文档 ID84597854499500003 | 源数据页码750 |
专利语言zh | ||
本公开提供一种半导体沟槽的钼填充方法、半导体器件，方法包括：在第一工艺阶段，输入含钼卤化物和含氢还原气体，所述含钼卤化物与含氢还原气体的摩尔比设定为大于第一摩尔比R1；在第二工艺阶段，将所述含钼卤化物与含氢还原气体的摩尔比降低至小于第二摩尔比R2；在形成的钼层覆盖保留的种子层之后，以及在所述沟槽的上部开口封闭之前，进入第三工艺阶段；在第三工艺阶段，一次或多次降低所述钼层的沉积速率。本公开能够实现自下向上的钼沉积，改善孔洞和缝隙问题。
附图 1