光检测装置 · CN122953790A

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公开（公告）号CN122953790A	申请号CN202580022124.6	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人索尼半导体解决方案公司
分类号H10F39/18(2006.01), H10F30/20(2006.01)	优先权2024.03.27 JP 2024-051099	申请日2025-03-27
公开日2026-10-20	发布日期2026-10-20	文档 ID84597887650600004
源数据页码894	专利语言zh

摘要

本发明减少了暗电流并抑制了量子效率的降低。该光检测装置包括：半导体层，其在一个方向上具有厚度；光电转换区域，其设置在所述半导体层中并由分离区域分隔；和光电转换部，其设置在所述光电转换区域中，并被构造为执行光到信号电荷的光电转换。所述分离区域包括：挖掘部，其设置在所述半导体层中并在所述一个方向上延伸；固定电荷膜，其具有固定电荷并且沿着所述挖掘部的侧面部设置；和金属膜，其在所述挖掘部的内侧沿着所述固定电荷膜设置。

附图

附图 1