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公开（公告）号CN122953799A | 申请号CN202580021542.3 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人东京毅力科创株式会社 |
分类号H10P50/20(2026.01), H10P72/00(2026.01), H01J37/32(2006.01), H05H1/46(2006.01) | 优先权2024.03.25 JP 2024-047983 | 申请日2025-03-05 |
公开日2026-10-20 | 发布日期2026-10-20 | 文档 ID84597887650600003 |
源数据页码894 | 专利语言zh | |
公开的等离子体处理装置具备腔室、该腔室内的基片支承部、高频电源、偏置电源和控制部。高频电源构成为为了从腔室内的气体生成等离子体而供给源高频电力。偏置电源构成为为了从等离子体向基片支承部上的基片引入离子而向基片支承部供给电偏置。控制部构成为控制高频电源和偏置电源，以使得在等离子体处理期间中连续且同时地供给源高频电力和电偏置，将源高频电力的功率电平设定为3kW以下，将偏置频率设定为小于400kHz，将电偏置的电压振幅设定为3kV以上。
附图 1