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公开(公告)号CN122967802A | 申请号CN202611309903.7 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人中国原子能科学研究院 |
分类号G16C10/00(2019.01), G16C60/00(2019.01), G06F30/20(2020.01) | 申请日2026-08-27 | 公开日2026-10-23 |
发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601468766700003 | 源数据页码1720 |
专利语言zh | ||
本申请的实施例涉及计算机材料科学技术领域,具体涉及一种确定Mo‑Re合金在应变条件下的辐照产生的Re‑缺陷团簇的尺寸分布和数密度的方法、系统以及计算机存储介质。本申请提供的方法通过对纯钼晶体超胞施加应变,应变能够反应应力,以通过考虑纯钼晶体超胞受到的应力,确定受到应力之后的纯钼晶体超胞的空位(V)形成能、间隙原子(SIA)形成能,以及Re掺杂后的Re原子溶解能、Re‑V结合能、Re‑SIA结合能,在此基础上,结合受到应力之后的纯钼晶体超胞的缺陷的扩散势垒,以量化应力对于扩散能垒的影响,从而,准确模拟Mo‑Re合金在应变条件下的辐照产生的Re‑缺陷团簇的结构演化过程,使得所确定的Re‑缺陷团簇的尺寸分布和数密度与实际情况更为符合。
附图 1