半导体结构及其制备方法和存储系统

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摘要

本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和存储系统，其中，半导体结构包括第一堆叠结构、第二堆叠结构和第一连接结构；第一堆叠结构包括在第一方向上交替层叠的第一绝缘层的第一部分和第二绝缘层；第二堆叠结构在第一堆叠结构沿第二方向的一侧，第二堆叠结构包括在第一方向交替层叠的第一绝缘层的第二部分和栅极层、以及还包括介质层，介质层位于第二部分和栅极层之间；第一连接结构沿第一方向在第一堆叠结构中延伸、并包括第一导电部，第一导电部沿第二方向与第二绝缘层连接、并与同层的栅极层连接；其中，介质层和第一导电部之间具有位于栅极层和第二部分之间的阻挡层；其中，第二方向与第一方向相交。

附图

附图 1