集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN122971298A | 申请号CN202510458642.4 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
分类号H10W90/20(2026.01), H10W42/60(2026.01), H10W80/00(2026.01) | 申请日2025-04-11 | 公开日2026-10-23 |
发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601372937300005 | 源数据页码154 |
专利语言zh | ||
一种晶圆键合结构及其形成方法，其中晶圆键合结构包括：第一晶圆；第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆键合连接，所述第一晶圆和所述第二晶圆的金属层边缘具有凹槽；防放电层，所述防放电层覆盖所述第一晶圆和所述第二晶圆边缘，所述防放电层填充满所述凹槽。通过额外增设的所述防放电层，能够有效的减少暴露出的所述金属层尖端放电的问题，而且所述防放电层填充在所述凹槽内，能够对所述暴露出的金属层进行更加稳固的覆盖，进一步提升防所述金属层尖端放电的效果。
附图 1