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公开（公告）号CN122974875A | 申请号CN202610982143.X | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人昆明理工大学 |
分类号B22D19/16(2006.01), B22D11/11(2006.01), C22F1/08(2006.01), C22F1/14(2006.01), C21D9/52(2006.01), C22F1/02(2006.01), B21B3/00(2006.01) | 申请日2026-07-02 | 公开日2026-10-27 |
发布日期2026-10-27 | 文档 ID84635784157300010 | 源数据页码182 |
专利语言zh | ||
本发明公开了一种基于半固态界面调控的Ag/In2O3/Cu复合带材连续冶金复合方法，属于银基电接触复合材料及连续冶金复合成形技术领域。本发明包括S1：对铜熔融液进行连续铸造，得到表层呈液固共存状态的半固态铜带；S2：将In2O3颗粒撒布在半固态铜带呈液固共存状态的表层，形成含有In2O3颗粒的界面过渡层；S3：将银熔融液浇铸在界面过渡层上，得到复合带坯；S4：对复合带坯进行多道次热轧以及退火处理循环，得到Ag/In2O3/Cu复合带材。本发明通过将In2O3颗粒加入半固态铜带表面，利用液固共存界面的支撑包覆协同作用实现颗粒原位嵌入，构建稳定界面过渡层并协同银液连续浇铸以及热轧塑性致密化处理，通过连续性高的工艺高效生产界面结合稳定、组织致密及导电稳定的Ag/In2O3/Cu复合带材。
附图 1