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公开（公告）号CN122979854A | 申请号CN202510505395.9 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
分类号C23C16/18(2006.01), C23C16/04(2006.01), C23C16/50(2006.01), C23C16/505(2006.01), C23C16/56(2006.01), H10P14/43(2026.01), H10W20/00(2026.01) | 申请日2025-04-21 | 公开日2026-10-27 |
发布日期2026-10-27 | 文档 ID84635781444300002 | 源数据页码144 |
专利语言zh | ||
本发明公开了一种钴薄膜的沉积工艺。包含：将一基片置于反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：在开口的侧壁与底部沉积钴薄膜；刻蚀步骤：向所述反应腔中通入金属氯化物气体，打开所述钴薄膜的侧壁缩颈；循环执行所述沉积步骤、刻蚀步骤N次，直至所述钴薄膜对所述侧壁的台阶覆盖率达到工艺目标要求，N为≥1的正整数。本发明利用金属氯化物气体与钴薄膜产生刻蚀反应，解决堵孔问题，并通过多次循环进行沉积步骤、刻蚀步骤，实现在高深宽比开口中形成的钴薄膜的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺目标要求。
附图 1