一种半导体设备石英管内壁多晶硅薄膜的制备方法

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摘要

本发明公开了一种半导体设备石英管内壁多晶硅薄膜的制备方法，S1前处理，对石英管内壁依次进行有机溶剂清洗、酸蚀刻、碱处理，得到内壁表面具有亲水性Si‑OH键的石英管；S2将石英管水平放置于沉积设备中，外壁与夹具间设置石墨纸作为柔性导热缓冲层，通入硅烷沉积多晶硅薄膜；S3防裂后处理，先吹扫并湿法清洗，于氧气气氛下进行低温氧化热处理，钝化薄膜晶界处悬空键形成稳定的Si‑O‑Si键。本发明所得薄膜截面孔隙率≤0.01%，轴向厚度偏差≤8%。

附图

附图 1