一种低损耗高磁导率高耐压复合材料制备方法 · CN122991792A

著录项目

公开（公告）号CN122991792A	申请号CN202611093198.1	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人天通凯伟科技有限公司
分类号H01F1/153(2006.01), H01F1/26(2006.01), H01F41/00(2006.01), H01F41/02(2006.01)	申请日2026-07-22	公开日2026-10-27
发布日期2026-10-27	文档 ID84635788967200006	源数据页码246
专利语言zh

摘要

本发明提供一种低损耗高磁导率高耐压复合材料制备方法，涉及软磁功能复合材料与电子元器件制备技术领域。该方法以非晶态软磁粉体为原料，采用“无机钝化和有机偶联”两步包覆工艺构建双层绝缘结构：第一步以磷酸或磷酸盐类钝化材料形成致密无机绝缘层，第二步以硅烷偶联剂形成有机修饰层；随后与有机硅树脂混合造粒，经温压成型后在400~480℃氮气氛围下进行低温晶化退火。本发明利用纳米晶成分非晶粉的晶化特性，在远低于铜铁共烧退火温度的条件下实现非晶相向纳米晶相转变，同时释放压制内应力，大幅提升磁导率并降低磁滞损耗；且退火温度不破坏双层绝缘包覆结构，使材料保持优异的绝缘耐压性能，抑制涡流损耗。

附图

附图 1