半导体器件及其制备方法、存储器系统 · CN122995129A

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公开（公告）号CN122995129A	申请号CN202510525388.5	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人长江存储科技有限责任公司
分类号H10B12/00(2023.01)	申请日2025-04-24	公开日2026-10-27
发布日期2026-10-27	文档 ID84635771651900006	源数据页码14
专利语言zh

摘要

本公开实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：半导体主体、电容结构和连接结构。半导体主体沿第一方向延伸，电容结构在第一方向位于半导体主体的一侧。连接结构沿第一方向延伸，并连接半导体主体和电容结构。连接结构包括在第一方向彼此接触的第一半导体部和第二半导体部，其中第一半导体部的一部分在第一方向位于第二半导体部与半导体主体之间，第一半导体部的另一部分至少位于半导体主体在第二方向的一侧，并与半导体主体接触，第一方向与第二方向相交。

附图

附图 1