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公开(公告)号CN122995155A | 申请号CN202510536178.6 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人北京超弦存储器研究院 |
分类号H10B41/40(2023.01), H10B41/10(2023.01) | 申请日2025-04-25 | 公开日2026-10-27 |
发布日期2026-10-27 | 文档 ID84635771651900002 | 源数据页码14 |
专利语言zh | ||
一种半导体器件及其制造方法、电子设备,所述半导体器件包括:沿第一方向堆叠设置并键合在一起的第一半导体结构和第二半导体结构;第一半导体结构具有由第一金属材料形成的第一金属部件,第二半导体结构具有由第二金属材料形成的第二金属部件;第一金属部件与第二金属部件之间具有键合部件,第一金属部件与第二金属部件通过键合部件键合在一起;键合部件的至少部分区域与第一金属部件和第二金属部件中的至少一个为一体式结构;第一金属部件和第二金属部件在垂直于第一方向的第一平面上的正投影均落入键合部件在第一平面上的正投影的范围内。本申请实施例的半导体器件的两个半导体结构之间的键合强度大,半导体结构脱落的风险小。
附图 1