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公开（公告）号CN122995176A | 申请号CN202611015908.9 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
分类号H10D30/01(2025.01), H10D30/66(2025.01), H10D84/00(2025.01), H10D1/47(2025.01), H10W40/50(2026.01) | 申请日2026-07-08 | 公开日2026-10-27 |
发布日期2026-10-27 | 文档 ID84635771651800004 | 源数据页码14 |
专利语言zh | ||
本发明提供一种集成保护装置的MOSFET器件及其制造方法，其中在制备方法中，在衬底增设一保护区，在栅极引出区形成第二沟槽以及有源区形成第三沟槽的同时，在保护区形成第一沟槽，随后在第一至第三沟槽中形成栅氧化层和掺杂多晶硅层，接着形成第一至第三导电插塞，最后形成第一至第四金属电极，其中，所述保护区的所述第一金属电极、第二金属电极、第一导电插塞和第一沟槽内的掺杂多晶硅层构成电阻值可调的电阻器。本申请通过在制备栅极沟槽的同时制备保护区的电阻器，没有额外成本增加，同时，沟槽电阻器可与第三金属电极或与第四金属电极串联使用，实现电路的保护及检测功能，防止MOS器件过流烧毁，提高了电子产品的使用寿命和可靠性。
附图 1