一种阶梯栅极结构的GaN HEMT器件及其制备方法 · CN122995194A

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公开（公告）号CN122995194A	申请号CN202611250676.5	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人厦门新镓能半导体科技有限公司
分类号H10D30/47(2025.01), H10D30/01(2025.01), H10D62/85(2025.01), H10D64/27(2025.01), H10D64/68(2025.01), H10D62/10(2025.01)	申请日2026-08-18	公开日2026-10-27
发布日期2026-10-27	文档 ID84635786735800008	源数据页码218
专利语言zh

摘要

本发明公开了一种阶梯栅极结构的GaN HEMT器件及其制备方法，包括衬底及依次层叠的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；设置于势垒层上的栅极结构，包括间隔设置的第一子栅极和第二子栅极，以及位于第一子栅极和第二子栅极之间的凹槽区域；所述第一子栅极和第二子栅极均包含设置于势垒层上的P型氮化镓层，所述凹槽区域下方的势垒层的厚度小于第一子栅极和第二子栅极下方的势垒层的厚度；以及氧氮化镓薄膜，共形覆盖于所述第一子栅极、所述第二子栅极的表面以及所述凹槽区域的表面，且所述氧氮化镓薄膜与所述P型氮化镓层之间具有连续过渡界面。本发明有利于优化栅极区域电场分布，提高器件耐压能力，增强器件稳定性及动态性能。

附图

附图 1