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公开（公告）号CN122995203A | 申请号CN202510490325.0 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人华为技术有限公司 |
分类号H10D30/63(2025.01), H10D30/01(2025.01), H10D62/10(2025.01), H10D62/17(2025.01), H10D64/27(2025.01), H10D64/66(2025.01), H10W70/60(2026.01) | 申请日2025-04-17 | 公开日2026-10-27 |
发布日期2026-10-27 | 文档 ID84635786735800006 | 源数据页码218 |
专利语言zh | ||
本申请实施方式提供一种半导体装置及其制备方法、半导体封装结构、电子设备。其中，该装置包括衬底和垂直沟道晶体管，垂直沟道晶体管设置在衬底上，垂直沟道晶体管包括源极、漏极、栅极和沟道层；栅极至少包括第一功函数金属层和第二功函数金属层；其中，沟道层沿垂直于衬底方向上延伸，且源极和漏极分别设置在沟道层延伸方向上的两端；在平行于衬底方向上，第一功函数金属层环绕沟道层设置，第二功函数金属层环绕沟道层设置，且第一功函数金属层与第二功函数金属层的功函数差值的绝对值大于或等于第一阈值。实施本申请实施例可以减少晶体管在工作期间的源端或漏端漏电流，提高晶体管的性能。
附图 1