一种横向混合栅极结构的LDMOS器件及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种横向混合栅极结构的LDMOS器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。器件包括衬底、N型漂移区、P型体区、源漏区及栅极结构。栅介质层沿沟道方向分为源端介质区和漏端介质区；源端介质区采用高介电常数材料且物理厚度较大、等效氧化层厚度较小，漏端介质区采用低介电常数材料且物理厚度较小、等效氧化层厚度较大；同时源端栅极导电层功函数小于漏端。制备方法包括：形成假栅极并高温退火；去除假栅极；低温沉积高K材料；光刻保留源端高K并刻蚀去除漏端高K；漏端填补低K材料；最后形成不同功函数的栅极导电层。在介质交界处引入额外电场峰值，形成双峰电场，提升驱动电流并抑制热载流子效应，同时降低栅漏寄生电容。

附图

附图 1