金属栅的形成方法

著录项目

摘要

本发明公开了一种金属栅的形成方法，属于半导体技术领域，该金属栅的形成方法，包括提供在晶圆表面绝缘介质层内形成有栅凹槽的晶圆；在栅凹槽内依次沉积高K栅介质层、功函数层和阻挡层；在形成有阻挡层的栅凹槽内填充金属层，使得金属层高出绝缘介质层表面预设厚度；采用化学机械研磨的方式，去除绝缘介质层表面的高K栅介质层以及高K栅介质层上的其他介质层，使得金属层与绝缘介质层表面大致齐平；湿法回刻栅凹槽内金属层及阻挡层，使得栅凹槽内金属层低于绝缘介质层至第一预设高度；湿法回刻栅凹槽内功函数层至与金属层大致齐平。通过湿法刻蚀的方法对金属层进行刻蚀，精准调控各个膜层的高度，避免干法刻蚀使用等离子体造成对膜层的损伤。

附图

附图 1