集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN122995634A | 申请号CN202510486827.6 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司 |
分类号H10W20/00(2026.01), H10W20/42(2026.01), H10W20/43(2026.01) | 申请日2025-04-17 | 公开日2026-10-27 |
发布日期2026-10-27 | 文档 ID84635786687100010 | 源数据页码214 |
专利语言zh | ||
一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括刻蚀底部金属层顶部的部分厚度材料，在各个底部金属层顶部形成第一凹槽，增大了底部金属层和第一介电层顶部的距离，并通过在第一凹槽中形成盖帽层，使各个底部金属层顶部与外部通过盖帽层进行隔离；刻蚀第二介电层，形成位于第二介电层顶部的沟槽和位于沟槽底部部分区域的开口，且开口露出部分底部金属层顶部盖帽层部分区域，由于在不需要形成连接的邻近底部金属层顶部形成有盖帽层，使得开口侧壁至该邻近底部金属层顶部的距离也增大，使得互连层和该邻近底部金属层顶部之间保持较大的安全距离，降低了互连层和该邻近底部金属层顶部之间介质击穿的风险，提高了半导体结构的电学性能。
附图 1