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公开（公告）号CN122995637A | 申请号CN202610988738.6 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人台湾积体电路制造股份有限公司 |
分类号H10W20/00(2026.01), H10W20/40(2026.01), H10W20/48(2026.01), H10W20/45(2026.01), H10P95/00(2026.01) | 优先权2025.07.09 US 63/840,815;2025.10.31 US 19/375,467 | 申请日2026-07-03 |
公开日2026-10-27 | 发布日期2026-10-27 | 文档 ID84635771507500005 |
源数据页码10 | 专利语言zh | |
在将半导体晶圆接合至载体晶圆之前，在半导体晶圆的顶面上方形成停止层。然后可以在停止层上方形成并且平坦化接合介电层。停止层用作平坦化停止层，使得平坦化操作可以以高度可控的方式来实施，以用于去除或减少接合介电层中的不均匀性。这减小了用于接合操作的部分接合的可能性，这减小了半导体晶圆从载体晶圆剥离和/或分层的可能性，这可以改进半导体工艺良率。在平坦化操作之后，可以沉积接合介电层的额外材料，以重建用于将半导体晶圆接合至载体晶圆的接合介电层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
附图 1