面向芯粒间高速互连的硅桥多层信号耦合抑制兼备电源去耦结构及其形成方法

著录项目

摘要

面向芯粒间高速互连的硅桥多层信号耦合抑制兼备电源去耦结构及其形成方法，目前存在硅桥互连结构在高密度微凸点连接、层间过孔垂直互连以及硅桥内部多层布线过程中易现的局部信号耦合、接地参考不连续和局部电源噪声影响；本发明中硅桥多层信号耦合抑制兼备电源去耦结构为微凸点焊盘区域、层间过孔垂直互连区域和多层走线区域，微凸点焊盘区域、层间过孔垂直互连区域和多层走线区域之间配合形成芯粒的高速互连形成信号耦合抑制与电源去耦结构；硅桥多层信号耦合抑制与电源去耦的形成方法为依据芯粒高速硅桥互连需抑制信号串扰、降低电源噪声的性能指标，依托参数约束依据最终成型集成多重抗干扰功能的硅桥互连实体结构的过程。

附图

附图 1