一种异质金属基铜二元合金修饰层的形成方法及半导体互连结构

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摘要

本发明提供了一种异质金属基铜二元合金修饰层的形成方法及半导体互连结构。所述方法包括以下步骤：提供一衬底，于衬底表面形成嵌入介质层的大马士革铜，大马士革铜表面形成具有可控凹槽深度D的表面轮廓；在介质层表面形成一图案化的光刻胶掩膜层；通过物理气相沉积二元合金修饰层；采用有机溶剂去除光刻胶掩膜层及其上方的修饰层材料，从而使二元合金修饰层仅保留在大马士革铜表面；对所得结构进行预键合热退火处理。本发明采用光刻胶掩膜与剥离工艺，实现了二元合金修饰层在大马士革铜表面的选择性沉积，有效防止铜表面氧化，并通过预键合退火处理改善修饰层质量，为后续高可靠性铜‑铜键合提供有利条件。

附图

附图 1