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公开(公告)号CN122995684A | 申请号CN202511515650.4 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人万国半导体国际有限合伙公司 |
分类号H10W70/40(2026.01), H10W74/10(2026.01), H10W74/01(2026.01), H10W70/04(2026.01), H10W72/00(2026.01) | 优先权2025.04.24 US 19/188,914 | 申请日2025-10-22 |
公开日2026-10-27 | 发布日期2026-10-27 | 文档 ID84635786687100005 |
源数据页码214 | 专利语言zh | |
一种半导体封装,该封装包括一个引线框架、一个第一高侧FET、一个第一低侧FET、一个第一组金属夹、一个第二高侧FET、一个第二低侧FET、一个第二组金属夹以及一个模制封装体。一种半导体封装的制造方法,该方法包括以下步骤:提供一个引线框架;安装一个第一高侧FET和一个第一低侧FET;安装一个第一组金属夹;安装一个第二高侧FET和一个第二低侧FET;安装一个第二组金属夹;形成一个模制封装体;以及执行切割工艺。
附图 1