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公开（公告）号CN122995721A | 申请号CN202611469808.3 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人甬矽半导体（宁波）有限公司 |
分类号H10W72/50(2026.01), H10W72/40(2026.01), H10W72/90(2026.01), H10W72/00(2026.01), H10W90/26(2026.01), H10W90/10(2026.01) | 申请日2026-09-21 | 公开日2026-10-27 |
发布日期2026-10-27 | 文档 ID84635771630600010 | 源数据页码9 |
专利语言zh | ||
本申请提供的一种衬底布线芯片叠层结构和芯片叠层方法，该结构包括衬底、第一芯片、第二芯片、塑封体和第一打线结构，衬底内设有多层布线层；衬底的一侧设有第一焊盘和第二焊盘，另一侧设有焊球；第一芯片与第一焊盘电连接；第二芯片堆叠在第一芯片远离衬底的一侧；塑封体包覆第一芯片和第二芯片；塑封体上设有第一开孔，第一开孔内设有第一导电胶，第一导电胶与第二焊盘直接或间接电连接；第一打线结构的一端与第二芯片电连接，另一端与第一导电胶电连接。
附图 1