集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN122996814A | 申请号CN202580022304.4 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人索尼半导体解决方案公司 |
分类号H10D30/47(2006.01), H10D30/01(2006.01), H10D30/87(2006.01) | 优先权2024.03.27 JP 2024-051681 | 申请日2025-03-17 |
公开日2026-10-27 | 发布日期2026-10-27 | 文档 ID84635758687900005 |
源数据页码1 | 专利语言zh | |
根据一个实施例的半导体装置包括：沟道层，包括二维电子气区域；阻挡层，设置在沟道层上；栅极电极，设置在阻挡层上；以及接触层，设置在沟道层上。所述接触层包括朝向栅极电极侧向下倾斜的倾斜面。
附图 1