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公开（公告）号CN123000265A | 申请号CN202611337087.0 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人山东大学 |
分类号B23K26/38(2014.01), B23K26/70(2014.01), G06N3/04(2023.01), G06N3/08(2023.01) | 申请日2026-08-31 | 公开日2026-10-30 |
发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661713487200004 | 源数据页码1523 |
专利语言zh | ||
本发明属于涉及半导体材料加工、超快激光内部改质及人工智能工艺优化交叉技术领域，提出了一种4H‑SiC晶圆智能激光切片方法及系统，获取待切片晶圆的电阻率、掺杂类型及目标焦深，分别生成连续主干输入特征与离散条件向量，通过主干网络结合逐通道仿射调制推理输出激光切片工艺参数集，依据目标焦深生成球差补偿相位图得到校正后光束，利用校正后光束完成晶圆内部改性扫描并施加应力实现晶圆剥离，采集剥离后的晶圆质量指标，扩充工艺数据库或触发神经网络增量学习。本发明可适配不同掺杂晶圆的加工条件，改善 4H‑SiC 晶圆激光切片加工适配效果。
附图 1