一种防氧化的AuSn共晶镀层制备工艺

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摘要

本申请公开了一种防氧化的AuSn共晶镀层制备工艺，属于半导体封装金属化技术领域。该工艺包括：在设有底金层和铂阻挡层的基板表面压合含缓蚀填料的感光干膜；在开窗区域电镀AuSn共晶镀层；依次进行碱液预溶胀、间歇式喷淋剥离及中和钝化处理；再经三级纯水清洗和氮气环境烘干，获得防氧化的AuSn共晶镀层产品。本申请可降低去膜、清洗和烘干过程中金属表面的氧化与腐蚀风险，并有利于保障后续焊接、键合及器件长期可靠性。