集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN123005514A | 申请号CN202610898363.4 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人湖南大学 |
分类号C30B29/04(2006.01), C30B25/16(2006.01), G01J1/42(2006.01) | 申请日2026-06-22 | 公开日2026-10-30 |
发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661705539900004 | 源数据页码152 |
专利语言zh | ||
本发明公开了一种硼掺杂金刚石单晶材料的制备方法、光电探测器、光电探测器阵列及系统。硼掺杂金刚石单晶材料的制备方法，包括如下步骤：对金刚石衬底进行刻蚀处理；在通入H2、CH4、B2H6的情况下，于MPCVD设备的反应腔体中在刻蚀处理后的金刚石衬底上沉积硼掺杂金刚石外延单晶层，获得硼掺杂金刚石单晶材料。本发明制备的硼掺杂金刚石单晶材料质量优异。采用本发明制备的硼掺杂金刚石单晶材料构建的光电探测器，在200nm光、30V偏压下，光暗电流比可达3.70×103，响应度达3.37A/W，探测率达4.08×1012Jones，响应速度快（上升时间0.21 s、衰减时间0.23 s），综合性能优异。
附图 1