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公开(公告)号CN123009556A | 申请号CN202611220924.1 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人辰致汽车科技集团有限公司重庆创新研究分公司;辰致汽车科技集团有限公司 |
分类号G01R31/26(2020.01) | 申请日2026-08-12 | 公开日2026-10-30 |
发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661702172000002 | 源数据页码118 |
专利语言zh | ||
本发明涉及一种AMB嵌入式功率模块缺陷测试方法,包括:AMB嵌入式功率模块包括功率半导体芯片、栅极端子和开尔文源极端子,所述测试方法包括以下步骤:向所述栅极端子与开尔文源极端子之间施加驱动脉冲,使所述功率半导体芯片执行开关动作;采集所述栅极端子与开尔文源极端子之间的电压波形,作为栅极电压信号;从所述栅极电压信号中提取至少一个能反映所述功率半导体芯片栅极充放电特性变化的动态特征参量;将所述动态特征参量与预设基准特征参量进行比较,若两者的偏差超过设定阈值,则判定功率模块存在缺陷,否则判定所述功率模块性能合格。本发明具有非破坏性的、高精度且易于实施。
附图 1