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公开（公告）号CN123013488A | 申请号CN202611495018.2 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人华侨大学 |
分类号G06F30/20(2020.01), G06F30/27(2020.01), G06F18/213(2023.01), G06F18/214(2023.01), G06N3/045(2023.01), G06N3/0442(2023.01), G06N3/006(2023.01), G05B19/4093(2006.01), G06F119/14(2020.01) | 申请日2026-09-24 | 公开日2026-10-30 |
发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661722979800003 | 源数据页码1633 |
专利语言zh | ||
本发明涉及半导体材料精密加工技术领域，尤其涉及一种碳化硅衬底研磨表面残余应力理论预测方法，其基于磨粒切入深度与碳化硅材料去除机制，将加载事件划分为滑擦、耕犁、切削、脆性去除、滚压五种类别并分别建立研磨分力模型，并基于行星差动轮系运动学建立磨粒离散轨迹点集，能够更真实地反映磨粒的随机运动特性和在不同加载类别下所产生的法向力和切向力。然后将加载事件所产生的法向力输入滑动Blister场解析模型求解应力张量增量，并在每一网格单元上依据VonMises屈服准则逐次进行加载‑卸载计算以更新累积应力张量，更真实地还原了磨粒与工件多次接触所导致的应力演化过程，使得该理论预测方法的物理机制更准确。
附图 1