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公开（公告）号CN123018575A | 申请号CN202611100817.5 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人江西兆驰半导体有限公司 |
分类号H01S5/343(2006.01), H01S5/34(2006.01) | 申请日2026-07-23 | 公开日2026-10-30 |
发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661695542300008 | 源数据页码43 |
专利语言zh | ||
本发明公开了一种DFB激光器外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该外延结构包括衬底、以及依次层叠于衬底之上的N型掺杂层、下限制层、有源层、上限制层、光栅、二次外延覆盖层以及欧姆接触层，下限制层为AlGaInAs或AlGaAs，下限制层中Al组分朝向有源层呈梯度升高。通过该设置，使得电子将先进入下限制层，利用下限制层的Al组分逐渐升高，导带能级呈现平滑上升的渐变分布，避免了传统固定组分限制层与有源层之间因导带突变形成的电子注入势垒，使电子能够以更高的能量效率注入有源层，同时，靠近有源层的高Al组分区域形成宽带隙势垒，有效防止已注入有源层的电子向下限制层方向反向溢漏，将电子约束在有源区内参与辐射复合，降低阈值电流密度。
附图 1