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公开(公告)号CN123019909A | 申请号CN202510561978.3 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人深圳市中兴微电子技术有限公司 |
分类号H04B17/309(2015.01) | 申请日2025-04-30 | 公开日2026-10-30 |
发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661718438500000 | 源数据页码1579 |
专利语言zh | ||
本申请关于一种射频通路损耗测量方法、系统、设备、存储介质及产品,其中,射频通路损耗测量方法包括:建立测试仪表与短路板之间的N组通信连接,每组通信连接对应的通路组合不同;短路板上的天线测试座的布局与对应芯片上的天线布局相匹配;其中,N≥3且N的取值与短路板上部署的天线测试座的数量一致;对于每组通信连接,基于第一测试信号与第二测试信号,得到对应通信连接的通信损耗,第一测试信号是测试仪表通过通路组合中的第一待测量射频通路向短路板发送的测试信号,第二测试信号是测试仪表通过通路组合中的第二待测量射频通路接收的经短路板返回的测试信号;基于N组通信连接各自对应的通信损耗,计算各个待测量射频通路的损耗值。
附图 1