集思谱半导体装置及其制造方法
著录项目
公开（公告）号CN123021648A | 申请号CN202610372917.7 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人三星电子株式会社 |
分类号H10B12/00(2023.01) | 优先权2025.04.29 KR 10-2025-0055951 | 申请日2026-03-25 |
公开日2026-10-30 | 发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661717205900004 |
源数据页码1566 | 专利语言zh | |
摘要
一种半导体装置包括：衬底，其具有具备单元有源区的单元阵列区、外围电路区、以及在单元阵列区和外围电路区之间的连接区；栅极结构，其包括在单元阵列区上在与单元有源区交叉的第一方向上延伸并延伸到连接区中的栅电极，栅极结构中的每一个在基本垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；位线结构，其在单元阵列区上在第二方向上延伸，并且连接到单元有源区；伪位线结构，其在连接区上在第二方向上延伸；伪结构，其设置在连接区上，并且穿透伪位线结构，其中，伪位线结构沿第二方向具有不同的在第一方向上量取的宽度。
附图
附图 1
需要我帮你解读这件专利吗？