集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN123021659A | 申请号CN202610565308.3 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人三星电子株式会社 |
分类号H10B41/35(2023.01), H10B41/41(2023.01), H10B41/27(2023.01), H10B43/35(2023.01), H10B43/27(2023.01), H10B43/40(2023.01) | 优先权2025.04.29 KR 10-2025-0056611 | 申请日2026-04-27 |
公开日2026-10-30 | 发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661717205900003 |
源数据页码1566 | 专利语言zh | |
提供了存储器装置和包括其的存储器封装件。所述存储器装置包括栅电极结构、存储器沟道结构、第一接触插塞和第一电连接结构。栅电极结构包括栅电极。第一栅电极中的每个包括彼此物理地分离的子栅电极。存储器沟道结构延伸穿过栅电极结构。第一接触插塞部分地延伸穿过栅电极结构以接触第二栅电极的上表面，并且延伸穿过设置在第二栅电极之上的栅电极但与设置在第二栅电极之上的栅电极电绝缘。第一电连接结构经由第三子栅电极将第一子栅电极与第二子栅电极电连接。第一子栅电极和第二子栅电极设置在相同水平处。第三子栅电极被第一接触插塞穿透并且与第一接触插塞和存储器沟道结构电绝缘。
附图 1