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公开（公告）号CN123021675A | 申请号CN202510551485.1 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人中国科学院微电子研究所 |
分类号H10D1/62(2025.01), H10D1/66(2025.01) | 申请日2025-04-28 | 公开日2026-10-30 |
发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661717205900002 | 源数据页码1566 |
专利语言zh | ||
本发明公开一种硅基高压电容器制作方法及硅基高压电容器，涉及硅基高压电容器技术领域，包括：提供一硅衬底，具有相对的两面；并加工贯穿硅衬底的两面的通孔；通过原子层吸附反应外延技术生长出高K介质层，高K介质层覆盖硅衬底的两面，以及通孔的内壁；去除硅衬底至少一面上的部分高K介质层，露出硅衬底，形成第一图形区；在硅衬底的两面、第一图形区，以及通孔的内壁均覆盖金属层；去除位于硅衬底的两面上的部分金属层，露出高K介质层，以形成隔断区；将位于第一图形区上方金属层刻蚀部分厚度，以形成凹槽结构的沟槽区，沟槽区作为金属焊盘。与现有技术相比，采用了原子层吸附反应外延技术制备高K介质层，有效解决了击穿电压不达标的问题。
附图 1