终端结构及其制备方法、半导体器件、用电设备

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摘要

本申请提供了一种半导体器件的终端结构及其制备方法、半导体器件、用电设备，涉及半导体技术领域。该终端结构包括：漂移层；栅极；栅极设置于漂移层的一面；第一掺杂分部；沿栅极的延伸方向，至少部分第一掺杂分部包裹栅极的端部；第一掺杂分部的掺杂类型与漂移层的掺杂类型不同。终端结构中，第一掺杂分部可以与漂移层形成异质结，从而降低栅极的端部的电场强度和载流子密度，降低碰撞电离率，降低发生雪崩击穿失效的风险，提升终端结构的可靠性。

附图

附图 1