一种集成自适应空穴通道的逆导式超结HK介质IGBT器件

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摘要

本发明公开了一种集成自适应空穴通道的逆导式超结HK介质IGBT器件，包括P型集电极、N+短路区、N型截止层、N型漂移区、P柱、HK介质、NCSL区、P‑body区、P+区、N+区、SiO2栅介质、多晶硅分离栅、多晶硅发射极栅、发射极、集电极；本发明提出的IGBT器件，采用P柱、N型漂移区与HK柱交替排列的结构，实现更优的电场分布；器件通过在内部集成自适应空穴通道，在导通状态下关闭，通过抑制空穴提取增强电导调制，降低了导通电压，在关断瞬态期间开启，通过从漂移区快速提取空穴缩短关断时间，并降低关断损耗；器件在底部引入N+短路区，与P‑body区/N漂移区构成反向并联PIN续流二极管，实现了IGBT的正向和逆向双向导通。

附图

附图 1