一种半导体器件的制造方法及掩膜版

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摘要

本申请提供一种半导体器件的制备方法以及掩膜版，该方法中，在半导体衬底中形成有至少两个MOS单元；在半导体衬底表面形成的复合掩膜层中、与至少两个MOS单元分别对应的区域形成包含不同开口率的开口单元。通过在不同开口率的开口单元向半导体衬底的外延层内执行离子注入工艺以及高温推结工艺，使体区形成的多种掺杂区域的掺杂浓度随对应开口单元的开口率呈差异化分布，从而形成差异化的多级开启单元。该方法中采用复合掩膜层具备高致密特性，可以满足离子注入的高能量需求。且可通过一张掩膜版在多个区域分别形成包含不同开口率的透光区域或遮光区域的图案，实现包含不同开口率的开口单元，以及通过一次离子注入工艺实现，大幅降低了工艺成本。