集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN123021714A | 申请号CN202511792065.9 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人三星电子株式会社 |
分类号H10D30/47(2025.01), H10D64/27(2025.01), H10D30/01(2025.01) | 优先权2025.04.28 KR 10-2025-0055759 | 申请日2025-12-01 |
公开日2026-10-30 | 发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661727821800003 |
源数据页码237 | 专利语言zh | |
本公开涉及一种包括栅极半导体层的半导体器件。一种示例半导体器件包括：沟道层；阻挡层，所述阻挡层设置在所述沟道层上并且包括具有与所述沟道层的能带隙不同的能带隙的材料；栅电极，所述栅电极设置在所述阻挡层上；栅极半导体层，所述栅极半导体层设置在所述阻挡层与所述栅电极之间；栅极间隔物，所述栅极间隔物设置在所述栅极半导体层的相对侧上；以及源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在所述栅电极的相对侧并且连接到所述沟道层。所述栅极半导体层包括：与所述栅电极交叠的第一图案部分以及设置在所述第一图案部分的相对侧上并且与所述栅极间隔物交叠的第二图案部分，并且所述第二图案部分的一侧与所述栅极间隔物的一侧对齐。
附图 1