集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN123021716A | 申请号CN202610545507.8 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人三星电子株式会社 |
分类号H10D30/47(2025.01), H10D30/67(2025.01), H10D62/80(2025.01), H10D64/23(2025.01), H10D64/27(2025.01), H10D64/68(2025.01) | 优先权2025.04.30 KR 10-2025-0057293 | 申请日2026-04-23 |
公开日2026-10-30 | 发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661717205800000 |
源数据页码1566 | 专利语言zh | |
一种半导体装置可以包括：基底层；多个沟道区，多个沟道区与基底层的上表面间隔开，并且在垂直于基底层的上表面的竖直方向上彼此间隔开，多个沟道区包括二维材料，并且具有p型导电性；以及栅极结构，其包括第一栅极层和第二栅极层。第一栅极层可以包括金属氯化物，并且第一栅极层可以接触多个沟道区的表面并且可以围绕多个沟道区的表面。第二栅极层可以包括第一栅极层中包括的金属，并且第二栅极层可以围绕第一栅极层的表面。
附图 1