半导体结构及其制备方法、芯片、电子设备

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摘要

本申请提供一种半导体结构及其制备方法、芯片、电子设备，该方法包括：提供衬底，其上形成有沿第二方向间隔分布的第一鳍和第二鳍；在第一鳍和第二鳍之间形成第一间隔物，第一间隔物的顶面低于第一鳍的顶面并低于第二鳍的顶面；形成沿第二方向延伸的虚拟栅结构，虚拟栅结构覆盖第一鳍、第二鳍以及第一间隔物；在虚拟栅结构中形成第三沟槽，第三沟槽暴露第一间隔物；在第三沟槽中形成第二间隔物，第二间隔物与第一间隔物相接触且两者材料相同，第二间隔物与第一间隔物共同构成将虚拟栅结构分隔为第一虚拟栅极和第二虚拟栅极的虚拟栅隔离结构；去除第一虚拟栅极并原位形成第一金属栅极，去除第二虚拟栅极并原位形成第二金属栅极。

附图

附图 1