一种提升光效的红光RCLED外延片及其制备方法 · CN123021838A

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公开（公告）号CN123021838A	申请号CN202611487198.X	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人南昌凯迅光电股份有限公司
分类号H10H20/814(2025.01), H10H20/01(2025.01)	申请日2026-09-23	公开日2026-10-30
发布日期2026-10-30	文档 ID84661727785700003	源数据页码236
专利语言zh

摘要

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种提升光效的红光RCLED外延片及其制备方法，该红光RCLED外延片从N型GaAs衬底开始由下往上依次生长缓冲层，N‑DBR，N型限制层，发光有源层，P型限制层，单向透明导电反射镜层，二次缓冲层，原位氧化预置P‑DBR层，P型过渡层，P型窗口层，P型接触层。本发明在常规红光RCLED工艺中引入ITO/IZO单向透明导电反射镜层，并采用原位氧化预置工艺生长P‑DBR，可解决常规红光RCLED工艺中P‑DBR个数偏多导致材料晶体质量下降和个数偏少光效不足的问题。

附图

附图 1