集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN123022126A | 申请号CN202610977640.0 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人应用材料公司 |
分类号H10P14/20(2026.01), H10P14/22(2026.01), H10P14/24(2026.01) | 优先权2020.02.28 US 62/983,305;2020.06.16 US 16/902,888 | 申请日2021-02-17 |
公开日2026-10-30 | 发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661692890900009 |
源数据页码11 | 专利语言zh | |
形成含硅和碳材料的示例性方法可包括：将含硅和碳前驱物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可容置于半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：在处理区域内形成含硅和碳前驱物的等离子体。可在高于15 MHz的频率下形成等离子体。所述方法可包括：将含硅和碳材料沉积于基板上。所沉积的含硅和碳材料的特征在于：低于或约3.0的介电常数。
附图 1