集思谱一种晶圆限位结构及应用其的半导体加热装置
著录项目
公开（公告）号CN123022185A | 申请号CN202611478931.1 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司 |
分类号H10P72/50(2026.01), H10P72/76(2026.01), H10P72/00(2026.01) | 申请日2026-09-22 | 公开日2026-10-30 |
发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661717353400006 | 源数据页码1563 |
专利语言zh | ||
摘要
本发明公开了一种晶圆限位结构及应用其的半导体加热装置，晶圆限位结构包括加热器及至少一组装配于加热器上的限位柱机构，加热器开设有导向通孔；限位柱机构包含柱体、承载座与弹性复位件，柱体可滑动穿设于导向通孔内，承载座连接于柱体下端，弹性复位件作用于柱体与承载座之间。加热器处于第一工位时，弹性复位件推动柱体向上滑移，柱体顶端伸出于加热器顶面；加热器向第二工位抬升时，承载座受下方固定结构阻挡停止运动，柱体随承载座保持静止，加热器继续上行，柱体相对加热器向下滑动，顶端回缩至加热器顶面以下。本发明依托加热器自身升降配合弹性复位件弹力，无需增设驱动机构，即可同时满足落片限位与工艺贴合需求，抑制晶圆滑移偏移。
附图
附图 1
需要我帮你解读这件专利吗？