硅片边缘检测方法、硅片加工方法及硅片加工设备 · CN123022215A

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公开（公告）号CN123022215A	申请号CN202611051141.5	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
分类号H10P74/20(2026.01), H10P74/00(2026.01), G01N21/95(2006.01), G01B11/30(2006.01)	申请日2026-07-15	公开日2026-10-30
发布日期2026-10-30	文档 ID84661717353400004	源数据页码1563
专利语言zh

摘要

本申请公开了一种硅片边缘检测方法。该方法包括：控制激光器照射硅片的边缘区域，以形成由边缘区域的表面形貌引起的散射光；通过光学传感器接收散射光，并将散射光转换为AC模拟信号；根据AC模拟信号，确定并输出硅片的边缘检测结果，该边缘检测结果表征边缘区域的表面形貌状态。该方案通过将表面形貌引起的散射光强度转换为AC信号，能够有效捕获低对比度缺陷及微观粗糙度的细微变化，解决了目前光学检测对低对比度缺陷漏检率高、粗糙度难以客观量化的问题，实现了对硅片边缘表面状态的精确检测。

附图

附图 1