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公开（公告）号CN123022254A | 申请号CN202611167323.9 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人芯得铭科技（深圳）有限公司 |
分类号H10W70/05(2026.01), H10W70/08(2026.01) | 申请日2026-08-03 | 公开日2026-10-30 |
发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661716977800009 | 源数据页码1562 |
专利语言zh | ||
本发明涉及一种元阶键合多层重布线方法，向承载芯片、带双阶变坡度斜面浅腔的封装基板填充临时填充材料并整平，使填充材料顶面与基板顶面齐平形成临时连续平面，在临时连续平面制备重布线层腔外区段并实施整面抛光；根据填充材料物性匹配刻蚀参数，基于刻蚀速率差异完整清除腔内填充材料，同时保护基板基体与成型金属线路；再于斜面与芯片表面制备腔内区段，使两段布线在腔口边缘对接导通，仅对芯片上方布线区域做定域抛光去除多余金属层，完成单层重布线制备，以此实现立体基板下多层重布线稳定加工，减少线路成型缺陷，提升封装互连整体可靠性。
附图 1