一种半导体结构的制备方法 · CN123022279A

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公开（公告）号CN123022279A	申请号CN202510539693.X	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人极芯拓方技术（上海）有限公司
分类号H10W72/00(2026.01)	申请日2025-04-25	公开日2026-10-30
发布日期2026-10-30	文档 ID84661716977800006	源数据页码1562
专利语言zh

摘要

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，方法包括：提供第一衬底，第一衬底具有多个第一芯片区和多个第一切割区，多个第一连接端设置在各第一芯片区中。提供多个芯片，各芯片包括衬底和设置在衬底中的多个第二连接端；将各芯片与各第一芯片区对应连接，连接后的各芯片之间形成第一间隙，第一间隙暴露各第一切割区。在第一间隙中形成填充层，薄化第一衬底和衬底，使得各第一连接端和各第二连接端暴露。

附图

附图 1