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公开（公告）号CN123022842A | 申请号CN202580025151.9 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人维易科仪器公司 |
分类号C30B25/16(2006.01), C23C16/32(2006.01) | 优先权2024.04.02 US 63/573,252 | 申请日2025-03-31 |
公开日2026-10-30 | 发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661692827100003 |
源数据页码6 | 专利语言zh | |
一种被适配成获取生长在晶圆上的碳化硅层的温度的化学气相沉积系统（CVD），包括：反应室，被适配成设置在该反应室内的晶圆上外延生长碳化硅层；晶圆载体，具有用于承载至少一个晶圆的平台；光源，其向该晶圆载体发射指定波长的辐射；第一高温计，其耦合到该反应室并且被配置为接收从该晶圆发射或反射的辐射并且测量该指定波长的辐射强度；反射计，其耦合到该高温计，被配置为接收和测量响应于由该光源发射的辐射而从该晶圆反射的该指定波长的辐射；以及电子控制器，被配置为使用第一高温计和反射计的测量值来确定生长在该晶圆上的碳化硅层的温度。
附图 1