集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN123023453A | 申请号CN202580022366.5 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人株式会社半导体能源研究所 |
分类号H10D30/01(2025.01), H10B12/00(2023.01), H10D30/67(2025.01), H10D84/80(2025.01), H10D84/83(2025.01), H10D88/00(2026.01), H10K50/84(2023.01), H10K59/121(2023.01), H10K59/131(2023.01), H10K71/00(2023.01), H10K71/60(2023.01), H10K77/10(2023.01) | 优先权2024.04.05 JP 2024-061340;2025.01.30 JP 2025-013996 | 申请日2025-03-31 |
公开日2026-10-30 | 发布日期2026-10-30 | 文档 ID84661715969700009 |
源数据页码1552 | 专利语言zh | |
提供一种使用高品质的半导体膜的半导体装置。另外，提供一种高性能的半导体装置。半导体装置包括第一及第二晶体管、第一及第二绝缘层、以及第一及第二单晶衬底。第一晶体管的沟道形成在第一单晶衬底所包括的第一单晶半导体中。第二晶体管位于第一晶体管的上方且其沟道形成在与第一单晶衬底接触的第二单晶半导体中。第二单晶衬底位于第二晶体管的上方。第一绝缘层位于第一晶体管与第二晶体管之间。第二绝缘层位于第一绝缘层与第二晶体管之间，且包括与第一绝缘层接触的第一接合面。第一单晶半导体包括硅，第二单晶半导体包括金属氧化物。
附图 1