半导体装置 · CN123023458A

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公开（公告）号CN123023458A	申请号CN202480090158.4	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人株式会社索思未来
分类号H10D84/40(2025.01), H10D84/03(2025.01)	申请日2024-04-04	公开日2026-10-30
发布日期2026-10-30	文档 ID84661715969700008	源数据页码1552
专利语言zh

摘要

半导体装置包括：基板(10)；第一半导体层(31)，设置在所述基板上，并具有第一导电型；第二半导体层(32)，设置在所述基板上，并具有与所述第一导电型不同的第二导电型；第三半导体层(21)，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，与所述第一半导体层和所述第二半导体层接触设置，并具有与所述第一导电型和所述第二导电型中的任一个相同的第三导电型；第四半导体层(22)，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，与所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层接触设置，并具有与所述第三导电型不同的第四导电型。

附图

附图 1